Navegando por Autor "Onias, Heloisa Helena dos Santos"
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Artigo Application of Partial Directed Coherence to the Analysis of Resting-State EEG-fMRI Data(2013) Biazoli Jr., Claudinei E.; Sturzbecher, Marcio; White, Thomas P.; Onias, Heloisa Helena dos Santos; Andrade, Katia Cristine; Araújo, Dráulio Barros de; Sato, João R.The simultaneous acquisition of electroencephalography (EEG) and functional magnetic resonance imaging (fMRI) data potentially allows measurement of brain signals with both high spatial and temporal resolution. Partial directed coherence (PDC) is a Granger causality measure in the frequency domain, which is often used to infer the intensity of information flow over the brain from EEG data. In the current study, we propose a new approach to investigate functional connectivity in resting-state (RS) EEG-fMRI data by combining time-varying PDC with the analysis of blood oxygenation level-dependent (BOLD) signal fluctuations. Basically, we aim to identify brain circuits that are more active when the information flow is increased between distinct remote neuronal modules. The usefulness of the proposed method is illustrated by application to simultaneously recorded EEG-fMRI data from healthy subjects at rest. Using this approach, we decomposed the nodes of RS networks in fMRI data according to the frequency band and directed flow of information provided from EEG. This approach therefore has the potential to inform our understanding of the regional characteristics of oscillatory processes in the human brain.Dissertação Bifurcações dinâmicas em circuitos eletrônicos(Universidade Federal de Pernambuco, 2012-08) Onias, Heloisa Helena dos Santos; Leite, José Roberto Rios; Leite, José Roberto Rios; Aguiar, Flávio Menezes de; Oriá, Marcos César SantosO circuito RLD, formado por um resistor, um indutor e um diodo em série, apresenta uma dinâmica muito rica quando forçado por uma tensão externa harmônica e vem sendo estudado há décadas. Contudo, ainda existem tópicos em dinâmica não-linear sendo estudados com variantes deste circuito. Varreduras nos parâmetros de controle podem fazer com que esse sistema oscile eletronicamente entre regiões periódicas e regiões caóticas. O diodo é o elemento não linear responsável pelo surgimento do caos. Utilizando um modelo de capacitância não linear para descrever o comportamento do diodo, podemos escrever as equações para esse sistema e estudar a sua dinâmica numericamente. Nosso principal objetivo foi o estudo de expoentes críticos complexos em bifurcações dinâmicas. Para isso, realizamos um estudo numérico do circuito RLD forçado senoidalmente utilizando como parâmetros de controle a frequência e a amplitude da tensão de entrada. Construímos, a partir das séries temporais da corrente total e da tensão no diodo, diagramas de bifurcação com diferentes cortes estroboscópicos, que apresentam cascata de dobramento de período, janelas periódicas e transição intermitente. Também realizamos estudos numéricos do comportamento da média na região de transição caos-periódico na busca de encontrar um expoente crítico característico e oscilasções na média, elementos que já foram observados no mapa logístico. Não foram possíveis observar numericamente as oscilações, mas observamos um decaimento exponencial com expoente crítico de aproximadamente 0,5. Montamos um sistema de controle, aquisição e tratamento de dados experimentais no qual é possível a realização remota de experimentos simultâneos com dois circuitos diferentes. Obtivemos diagramas de bifurcações experimentais nos quais observamos que o sistema apresentahisterese e alta sensibilidade às condições do experimento como, por exemplo, o passo de varredura do parâmetro de controle.